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1528014Immagine IPT012N08N5ATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPT012N08N5ATMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPT012N08N5ATMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IPT012N08N5ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.8V @ 280µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-HSOF-8-1
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.2 mOhm @ 150A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    375W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerSFN
  • Altri nomi
    IPT012N08N5ATMA1TR
    SP001227054
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    17000pF @ 40V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    223nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    80V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 80V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    300A (Tc)

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Descrizione: MOSFET N-CH 60V 240A HSOF-8

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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