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5954695Immagine IPU80R2K4P7AKMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPU80R2K4P7AKMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPU80R2K4P7AKMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IPU80R2K4P7AKMA1.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.5V @ 40µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-TO251-3
  • Serie
    CoolMOS™ P7
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    2.4 Ohm @ 800mA, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    22W (Tc)
  • Contenitore / involucro
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Altri nomi
    SP001644612
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    150pF @ 500V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    7.5nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    800V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 800V 2.5A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2.5A (Tc)

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In magazzino
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Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descrizione: MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3

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Descrizione: MOSFET N-CH 800V TO251-3

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Descrizione: MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3

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Descrizione: MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3

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Descrizione: MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3

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Descrizione: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3

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Descrizione: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3

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