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3947084Immagine IPW60R031CFD7XKSA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPW60R031CFD7XKSA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPW60R031CFD7XKSA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V TO247-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IPW60R031CFD7XKSA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4.5V @ 1.63mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-TO247-3
  • Serie
    CoolMOS™ CFD7
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    31 mOhm @ 32.6A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    278W (Tc)
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • Altri nomi
    IPW60R031CFD7
    SP001617992
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    5623pF @ 400V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    141nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    650V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 650V 63A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    63A (Tc)

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Descrizione: MOSFET N-CH 650V 60A TO-247

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
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IPW60R055CFD7XKSA1

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Descrizione: HIGH POWER_NEW

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descrizione: MOSFET N-CH 560V 9A TO-247

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Descrizione: MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3

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Descrizione: HIGH POWER_NEW

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Descrizione: HIGH POWER_NEW

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