International Rectifier (Infineon Technologies)

IPW65R041CFDFKSA1

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Specifiche

Modello di prodotti

IPW65R041CFDFKSA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IPW65R041CFDFKSA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4.5V @ 3.3mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PG-TO247-3
Serie

CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

41 mOhm @ 33.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

500W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3
Altri nomi

IPW65R041CFD
IPW65R041CFD-ND
SP000756288
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8400pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

650V
Descrizione dettagliata

N-Channel 650V 68.5A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

68.5A (Tc)

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "IPW65R041CFDFKSA1".

IPW60R280P6FKSA1

Descrizione: MOSFET N-CH 600V TO247-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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