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IRD3CH53DB6

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRD3CH53DB6
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DIE
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    2.7V @ 100A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    1200V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Die
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    270ns
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    Die
  • Altri nomi
    SP001533446
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -40°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 1200V 100A Surface Mount Die
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    2µA @ 1200V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    100A
  • Capacità a Vr, F
    -
IRD3CH9DF6

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Descrizione: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IRD3CH24DD6

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IRD3CH31DF6

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Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A DIE

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Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A DIE

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Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DIE

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Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 150A DIE

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