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3346667Immagine IRF3709ZS.International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF3709ZS

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRF3709ZS
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    IRF3709ZS.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.25V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D2PAK
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    6.3 mOhm @ 21A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    79W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    *IRF3709ZS
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2130pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 87A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    87A (Tc)

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