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6515720Immagine IRF6621TR1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6621TR1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRF6621TR1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    IRF6621TR1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.25V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DIRECTFET™ SQ
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    9.1 mOhm @ 12A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.2W (Ta), 42W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    DirectFET™ Isometric SQ
  • Altri nomi
    IRF6621
    IRF6621-ND
    IRF6621TR1-ND
    IRF6621TR1TR
    SP001524780
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1460pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    17.5nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 12A (Ta), 55A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta), 55A (Tc)

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