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Immagine IRF6641TRPBF.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6641TRPBF

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Specifiche

Modello di prodotti

IRF6641TRPBF
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IRF6641TRPBF.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4.9V @ 150µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

DIRECTFET™ MZ
Serie

HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs

59.9 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.8W (Ta), 89W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

DirectFET™ Isometric MZ
Altri nomi

IRF6641TRPBF-ND
IRF6641TRPBFTR
SP001559700
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2290pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

200V
Descrizione dettagliata

N-Channel 200V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

4.6A (Ta), 26A (Tc)

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