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Immagine IRF6722STRPBF.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6722STRPBF

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Specifiche

Modello di prodotti

IRF6722STRPBF
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IRF6722STRPBF.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.4V @ 50µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

DIRECTFET™ ST
Serie

HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs

7.3 mOhm @ 13A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.2W (Ta), 42W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

DirectFET™ Isometric ST
Altri nomi

SP001523918
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1320pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 13A (Ta), 58A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Ta), 58A (Tc)

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