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6767313Immagine IRF7379TR.International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7379TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRF7379TR
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    IRF7379TR.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    45 mOhm @ 5.8A, 10V
  • Potenza - Max
    2.5W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    520pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    5.8A, 4.3A

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Descrizione: MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-220AB

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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