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Immagine IRF7421D1PBF.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7421D1PBF

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Specifiche

Modello di prodotti

IRF7421D1PBF
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IRF7421D1PBF.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-SO
Serie

FETKY™
Rds On (max) a Id, Vgs

35 mOhm @ 4.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi

SP001566294
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

Schottky Diode (Isolated)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 5.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

5.8A (Ta)

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