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IRF8852TRPBF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRF8852TRPBF
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IRF8852TRPBF.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.35V @ 25µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-TSSOP
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    11.3 mOhm @ 7.8A, 10V
  • Potenza - Max
    1W
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Altri nomi
    IRF8852TRPBFDKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1151pF @ 20V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    9.5nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    25V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 7.8A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    7.8A
  • Numero di parte base
    IRF8852PBF

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