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3326149Immagine IRF9952TRPBF.International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF9952TRPBF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRF9952TRPBF
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IRF9952TRPBF.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    100 mOhm @ 2.2A, 10V
  • Potenza - Max
    2W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    IRF9952PBFTR
    IRF9952TRPBF-ND
    IRF9952TRPBFTR-ND
    SP001555914
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    190pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3.5A, 2.3A
  • Numero di parte base
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