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133235Immagine IRFB33N15D.International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFB33N15D

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRFB33N15D
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    IRFB33N15D.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    5.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220AB
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    56 mOhm @ 20A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    3.8W (Ta), 170W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • Altri nomi
    *IRFB33N15D
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2020pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    90nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    150V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 150V 33A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    33A (Tc)

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