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2484735Immagine IRFB61N15DPBF.International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFB61N15DPBF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRFB61N15DPBF
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IRFB61N15DPBF.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220AB
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    32 mOhm @ 36A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.4W (Ta), 330W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • Altri nomi
    *IRFB61N15DPBF
    SP001560242
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    3470pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    140nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    150V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 150V 60A (Tc) 2.4W (Ta), 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
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