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1778112Immagine IRFH7911TR2PBF.International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH7911TR2PBF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRFH7911TR2PBF
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IRFH7911TR2PBF.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.35V @ 25µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PQFN (5x6)
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    8.6 mOhm @ 12A, 10V
  • Potenza - Max
    2.4W, 3.4W
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    18-PowerVQFN
  • Altri nomi
    IRFH7911TR2PBFCT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    2 (1 Year)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1060pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 13A, 28A 2.4W, 3.4W Surface Mount PQFN (5x6)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    13A, 28A
  • Numero di parte base
    IRFH7911PBF

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