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IRFR13N20DTRR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRFR13N20DTRR
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    IRFR13N20DTRR.pdf
  • Tensione - Prova
    830pF @ 25V
  • Tensione - Ripartizione
    D-Pak
  • Vgs (th) (max) a Id
    235 mOhm @ 8A, 10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    HEXFET®
  • Stato RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    13A (Tc)
  • Polarizzazione
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • codice articolo del costruttore
    IRFR13N20DTRR
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    38nC @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    5.5V @ 250µA
  • Caratteristica FET
    N-Channel
  • Descrizione espansione
    N-Channel 200V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Tensione drain-source (Vdss)
    -
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    200V
  • rapporto di capacità
    110W (Tc)

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