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IRFR3607PBF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRFR3607PBF
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 75V 80A DPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IRFR3607PBF.pdf
  • Tensione - Prova
    3070pF @ 50V
  • Tensione - Ripartizione
    D-Pak
  • Vgs (th) (max) a Id
    9 mOhm @ 46A, 10V
  • Vgs (Max)
    10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    HEXFET®
  • Stato RoHS
    Tube
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    56A (Tc)
  • Polarizzazione
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    SP001571628
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • codice articolo del costruttore
    IRFR3607PBF
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    84nC @ 10V
  • Tipo IGBT
    ±20V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    4V @ 100µA
  • Caratteristica FET
    N-Channel
  • Descrizione espansione
    N-Channel 75V 56A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Tensione drain-source (Vdss)
    -
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 75V 80A DPAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    75V
  • rapporto di capacità
    140W (Tc)

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Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
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IRFR3704

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