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4159673Immagine IRFU4105Z.International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFU4105Z

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRFU4105Z
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    IRFU4105Z.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    IPAK (TO-251)
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    24.5 mOhm @ 18A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    48W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Altri nomi
    *IRFU4105Z
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    740pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    27nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    55V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 55V 30A (Tc) 48W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

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