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IRG8CH184K10F

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRG8CH184K10F
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT CHIP WAFER
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IRG8CH184K10F.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2V @ 15V, 200A
  • Condizione di test
    600V, 200A, 2 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    135ns/640ns
  • di scambio energetico
    -
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Die
  • Serie
    -
  • Contenitore / involucro
    Die
  • Altri nomi
    SP001545966
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    15 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    -
  • carica gate
    1110nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT 1200V 200A Surface Mount Die
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    200A

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