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1230531Immagine IRG8P50N120KD-EPBF.International Rectifier (Infineon Technologies)

IRG8P50N120KD-EPBF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRG8P50N120KD-EPBF
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IRG8P50N120KD-EPBF.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2V @ 15V, 35A
  • Condizione di test
    600V, 35A, 5 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    35ns/190ns
  • di scambio energetico
    2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247AD
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    170ns
  • Potenza - Max
    350W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • Altri nomi
    SP001546104
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    -
  • carica gate
    315nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT 1200V 80A 350W Through Hole TO-247AD
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    105A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    80A

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