Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SI4435DY
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
1557972Immagine SI4435DY.International Rectifier (Infineon Technologies)

SI4435DY

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI4435DY
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    SI4435DY.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    20 mOhm @ 8A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.5W (Ta)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    *SI4435DY
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2320pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 30V 8A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

24/10/2024

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

10/10/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "SI4435DY".
SI4438-B1C-FMR

SI4438-B1C-FMR

Descrizione: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)
In magazzino
RFQ
SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

Descrizione: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

Descrizione: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3

Descrizione: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

Descrizione: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4438-B1C-FM

SI4438-B1C-FM

Descrizione: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)
In magazzino
RFQ
SI4432-V2-FM

SI4432-V2-FM

Descrizione: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)
In magazzino
RFQ
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

Descrizione: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4432-B1-FM

SI4432-B1-FM

Descrizione: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)
In magazzino
RFQ
SI4432-B1-FMR

SI4432-B1-FMR

Descrizione: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)
In magazzino
RFQ
SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

Descrizione: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4435DYTR

SI4435DYTR

Descrizione: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
SI4438-C2A-GM

SI4438-C2A-GM

Descrizione: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)
In magazzino
RFQ
SI4435DYPBF

SI4435DYPBF

Descrizione: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
SI4434ADY-T1-GE3

SI4434ADY-T1-GE3

Descrizione: MOSFET N-CHAN 250V SO-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4438-C2A-GMR

SI4438-C2A-GMR

Descrizione: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)
In magazzino
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Descrizione: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
SI4434DY-T1-E3

SI4434DY-T1-E3

Descrizione: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.