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SIDC06D120H6X1SA4

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Specifiche

Modello di prodotti

SIDC06D120H6X1SA4
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIODE GEN PURP 1.2KV 7.5A WAFER
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

SIDC06D120H6X1SA4.pdf
Modello ECAD
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

1.6V @ 7.5A
Tensione - inversa (Vr) (max)

1200V
Contenitore dispositivo fornitore

Sawn on foil
Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

Die
Altri nomi

SIDC06D120H6
SIDC06D120H6-ND
SP000013215
Temperatura di funzionamento - Giunzione

-55°C ~ 150°C
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo diodo

Standard
Descrizione dettagliata

Diode Standard 1200V 7.5A (DC) Surface Mount Sawn on foil
Corrente - Dispersione inversa a Vr

27µA @ 1200V
Corrente - raddrizzata media (Io)

7.5A (DC)
Capacità a Vr, F

-

Notizie correlate
spedizione
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SIDC03D120H6X1SA3

Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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SIDC06D120H6X1SA4

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