2019718

SIDC81D120F6X1SA1

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Specifiche

Modello di prodotti

SIDC81D120F6X1SA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

SIDC81D120F6X1SA1.pdf
Modello ECAD
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

2.1V @ 100A
Tensione - inversa (Vr) (max)

1200V
Contenitore dispositivo fornitore

Sawn on foil
Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

Die
Altri nomi

SIDC81D120F6
SIDC81D120F6-ND
SP000014014
Temperatura di funzionamento - Giunzione

-55°C ~ 150°C
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo diodo

Standard
Descrizione dettagliata

Diode Standard 1200V 100A (DC) Surface Mount Sawn on foil
Corrente - Dispersione inversa a Vr

27µA @ 1200V
Corrente - raddrizzata media (Io)

100A (DC)
Capacità a Vr, F

-

Notizie correlate
spedizione
Metodi di pagamento

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Supportiamo più metodi di pagamento, tra cui carte di credito, trasferimenti di filo e altre opzioni e accettiamo la maggior parte delle valute.Per gli ordini effettuati in USD, sono disponibili opzioni di pagamento aggiuntive.Per maggiori dettagli sui metodi e sulle procedure di pagamento, contattare il nostro team di vendita.

Di seguito sono riportati prodotti correlati "SIDC81D120F6X1SA1".

SIDR610DP-T1-GE3

Descrizione: MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay

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