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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SPU30N03S2-08
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6388754Immagine SPU30N03S2-08.International Rectifier (Infineon Technologies)

SPU30N03S2-08

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SPU30N03S2-08
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SPU30N03S2-08.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 85µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    P-TO251-3
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    8.2 mOhm @ 30A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    125W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Altri nomi
    SP000014129
    SPU30N03S208X
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2170pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    47nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 30A (Tc) 125W (Tc) Through Hole P-TO251-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

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Spedizione
Pagamento
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Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-251

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
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Descrizione: MOSFET P-CH 60V 30A IPAK

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descrizione: CONTACT RECPT 26-22AWG TIN PUD

Produttori: JST
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