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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > PMIC-Gate driver > HIP6601BCB
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HIP6601BCB

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    HIP6601BCB
  • Costruttore / Marca
    Intersil (Renesas Electronics Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRIVER MOSFET DUAL 8-SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    HIP6601BCB.pdf
  • Tensione di alimentazione -
    10.8 V ~ 13.2 V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SOIC
  • Serie
    -
  • Tempo di salita / scadenza (Typ)
    20ns, 20ns
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 125°C (TJ)
  • Frequenza di ingresso
    2
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tensione logica - VIL, VIH
    -
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo di ingresso
    Non-Inverting
  • Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap)
    15V
  • Tipo di porta
    N-Channel MOSFET
  • Configurazione guidata
    Half-Bridge
  • Descrizione dettagliata
    Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  • Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore)
    -
  • Base-Emitter Tensione di saturazione (max)
    Synchronous
  • Numero di parte base
    HIP6601B

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