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2580640Immagine 1SR153-400T-32.Rohm Semiconductor

1SR153-400T-32

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    1SR153-400T-32
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 400V 1A MSR
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1SR153-400T-32.pdf
  • Tensione - Picco inversa (max)
    Standard
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1A
  • Tensione - Ripartizione
    MSR
  • Serie
    -
  • Stato RoHS
    Tape & Box (TB)
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistenza a If, F
    -
  • Polarizzazione
    DO-41 Mini, Axial
  • Altri nomi
    1SR153-400T-32-ND
    1SR153-400T-32TB
    1SR153400T32
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    400ns
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • codice articolo del costruttore
    1SR153-400T-32
  • Descrizione espansione
    Diode Standard 400V 1A Through Hole MSR
  • Configurazione diodo
    10µA @ 400V
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 400V 1A MSR
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    1.3V @ 800mA
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    400V
  • Capacità a Vr, F
    150°C (Max)

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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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