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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SB1386T100R
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5025809Immagine 2SB1386T100R.LAPIS Semiconductor

2SB1386T100R

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SB1386T100R
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 20V 5A SOT-89
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SB1386T100R.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    20V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1V @ 100mA, 4A
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    MPT3
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    2W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-243AA
  • Altri nomi
    2SB1386T100R-ND
    2SB1386T100RTR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    120MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 20V 5A 120MHz 2W Surface Mount MPT3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    180 @ 500mA, 2V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    5A
  • Numero di parte base
    2SB1386

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