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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SB1730TL
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1569957Immagine 2SB1730TL.LAPIS Semiconductor

2SB1730TL

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SB1730TL
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 12V 2A TUMT3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.2SB1730TL.pdf
    2.2SB1730TL.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    12V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    180mV @ 50mA, 1A
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TUMT3
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    400mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    3-SMD, Flat Leads
  • Altri nomi
    2SB1730TLTR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    360MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 2A 360MHz 400mW Surface Mount TUMT3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    270 @ 200mA, 2V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    2A
  • Numero di parte base
    2SB1730

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Produttori: LAPIS Semiconductor
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