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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SC5824T100R
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3693081Immagine 2SC5824T100R.LAPIS Semiconductor

2SC5824T100R

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SC5824T100R
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 60V 3A SOT-89 MPT3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SC5824T100R.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    60V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    500mV @ 200mA, 2A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    MPT3
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    2W
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-243AA
  • Altri nomi
    2SC5824T100RCT
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    200MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 200MHz 2W Surface Mount MPT3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    180 @ 100mA, 2V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1µA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    3A
  • Numero di parte base
    2SC5824

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Descrizione: TRANS NPN 60V 3A SOT-89

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Descrizione: TRANS NPN 50V 0.1A SSSMINI3P

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Produttori: LAPIS Semiconductor
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