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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SC5866TLR

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2355684

Immagine 2SC5866TLR.

LAPIS Semiconductor

2SC5866TLR

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Specifiche

Modello di prodotti

2SC5866TLR
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

2SC5866TLR.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

60V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A
Tipo transistor

NPN
Contenitore dispositivo fornitore

TSMT3
Serie

-
Potenza - Max

500mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SC-96
Altri nomi

2SC5866MGTLR
2SC5866TLR-ND
2SC5866TLRTR
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

200MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 2A 200MHz 500mW Surface Mount TSMT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)

1µA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

2A
Numero di parte base

2SC5866

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