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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SD2096T114E

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Immagine 2SD2096T114E.

LAPIS Semiconductor

2SD2096T114E

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Specifiche

Modello di prodotti

2SD2096T114E
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS NPN 60V 3A HRT/TO-220FP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

2SD2096T114E.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

60V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

1V @ 200mA, 2A
Tipo transistor

NPN
Contenitore dispositivo fornitore

HRT
Serie

-
Potenza - Max

1.8W
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

HRT
Altri nomi

2SD2096T114ECT
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

8MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 8MHz 1.8W Through Hole HRT
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)

10µA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

3A
Numero di parte base

2SD2096

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