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4670828Immagine BR25G512FVT-3GE2.LAPIS Semiconductor

BR25G512FVT-3GE2

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BR25G512FVT-3GE2
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    SPI BUS EEPROM
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.BR25G512FVT-3GE2.pdf
    2.BR25G512FVT-3GE2.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    5ms
  • Tensione di alimentazione -
    1.8 V ~ 5.5 V
  • Tecnologia
    EEPROM
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-TSSOP-B
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Altri nomi
    BR25G512FVT-3GE2TR
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Kb (64K x 8)
  • Interfaccia di memoria
    SPI
  • Formato di memoria
    EEPROM
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    EEPROM Memory IC 512Kb (64K x 8) SPI 10MHz 8-TSSOP-B
  • Frequenza dell'orologio
    10MHz

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