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5249186Immagine DTA023JEBTL.LAPIS Semiconductor

DTA023JEBTL

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DTA023JEBTL
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.DTA023JEBTL.pdf
    2.DTA023JEBTL.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 5mA
  • Tipo transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    EMT3F (SOT-416FL)
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Potenza - Max
    150mW
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    SC-89, SOT-490
  • Altri nomi
    DTA023JEBTLCT
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    40 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    250MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    -
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA

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Descrizione: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89

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Descrizione: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89

Produttori: LAPIS Semiconductor
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