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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > DTA113ZCAHZGT116

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Immagine DTA113ZCAHZGT116.

LAPIS Semiconductor

DTA113ZCAHZGT116

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Specifiche

Modello di prodotti

DTA113ZCAHZGT116
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.DTA113ZCAHZGT116.pdf
2.DTA113ZCAHZGT116.pdf
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore

SST3
Serie

Automotive, AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

1 kOhms
Potenza - Max

350mW
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi

DTA113ZCAHZGT116CT
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

7 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

250MHz
Descrizione dettagliata

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 100mA 250MHz 350mW Surface Mount SST3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

33 @ 5mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)

-
Corrente - collettore (Ic) (max)

100mA

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