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2553210Immagine DTB723YMT2L.LAPIS Semiconductor

DTB723YMT2L

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DTB723YMT2L
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DTB723YMT2L.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    30V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Tipo transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    VMT3
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Potenza - Max
    150mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SOT-723
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    260MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    140 @ 100mA, 2V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    200mA

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Descrizione: TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: BATT CHRGR LEAD-ACID 24V 1.25A

Produttori: CUI, Inc.
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Descrizione: BATT CHRGR LEAD-ACID 24V 0.8A

Produttori: CUI, Inc.
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Descrizione: TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

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