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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > DTC043EEBTL

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Immagine DTC043EEBTL.

LAPIS Semiconductor

DTC043EEBTL

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Specifiche

Modello di prodotti

DTC043EEBTL
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.DTC043EEBTL.pdf
2.DTC043EEBTL.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore

EMT3F (SOT-416FL)
Serie

-
Resistor - Emitter Base (R2)

4.7 kOhms
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Potenza - Max

150mW
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

SC-89, SOT-490
Altri nomi

DTC043EEBTLCT
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

40 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

250MHz
Descrizione dettagliata

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max)

-
Corrente - collettore (Ic) (max)

100mA

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