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6523391Immagine DTC123ECAHZGT116.LAPIS Semiconductor

DTC123ECAHZGT116

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DTC123ECAHZGT116
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.DTC123ECAHZGT116.pdf
    2.DTC123ECAHZGT116.pdf
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Tipo transistor
    NPN - Pre-Biased + Diode
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SST3
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    2.2 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Potenza - Max
    350mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    DTC123ECAHZGT116TR
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    7 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    250MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 350mW Surface Mount SST3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    20 @ 20mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    -
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA

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Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75

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Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

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Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 0.26W SOT723

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Produttori: Micro Commercial Components (MCC)
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Descrizione: NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

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Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

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Produttori: LAPIS Semiconductor
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