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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > DTC124GUAT106

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Immagine DTC124GUAT106.

LAPIS Semiconductor

DTC124GUAT106

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Specifiche

Modello di prodotti

DTC124GUAT106
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.DTC124GUAT106.pdf
2.DTC124GUAT106.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore

UMT3
Serie

-
Resistor - Emitter Base (R2)

22 kOhms
Potenza - Max

200mW
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

SC-70, SOT-323
Altri nomi

DTC124GUAT106DKR
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

250MHz
Descrizione dettagliata

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)

500nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

100mA
Numero di parte base

DTC124

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