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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > DTC143XCAT116

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Immagine DTC143XCAT116.

LAPIS Semiconductor

DTC143XCAT116

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Specifiche

Modello di prodotti

DTC143XCAT116
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.DTC143XCAT116.pdf
2.DTC143XCAT116.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore

SST3
Serie

*
Resistor - Emitter Base (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Potenza - Max

200mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi

DTC143XCAMGT116
DTC143XCAT116TR
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

250MHz
Descrizione dettagliata

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)

500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)

100mA

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