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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > DTC643TUT106

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Immagine DTC643TUT106.

LAPIS Semiconductor

DTC643TUT106

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Specifiche

Modello di prodotti

DTC643TUT106
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.DTC643TUT106.pdf
2.DTC643TUT106.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

20V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

150mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore

UMT3
Serie

-
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Potenza - Max

200mW
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

SC-70, SOT-323
Altri nomi

DTC643TUT106CT
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

150MHz
Descrizione dettagliata

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 600mA 150MHz 200mW Surface Mount UMT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

820 @ 50mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)

500nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

600mA
Numero di parte base

DTC643

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