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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato > EMA11T2R

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Immagine EMA11T2R.

LAPIS Semiconductor

EMA11T2R

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Specifiche

Modello di prodotti

EMA11T2R
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

EMA11T2R.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore

EMT5
Serie

-
Resistor - Emitter Base (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Potenza - Max

150mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

250MHz
Descrizione dettagliata

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)

500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)

100mA

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