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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici > EMY1T2R
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435740Immagine EMY1T2R.LAPIS Semiconductor

EMY1T2R

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    EMY1T2R
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5EMT
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.EMY1T2R.pdf
    2.EMY1T2R.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
  • Tipo transistor
    NPN, PNP (Emitter Coupled)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    EMT5
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    150mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-SMD (5 Leads), Flat Lead
  • Altri nomi
    EMY1T2RTR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    180MHz, 140MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 50V 150mA 180MHz, 140MHz 150mW Surface Mount EMT5
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 6V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    150mA
  • Numero di parte base
    *MY1

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Descrizione: TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23

Produttori: Diodes Incorporated
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Produttori: Nexperia
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Descrizione: TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Produttori: Microsemi
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