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3626623Immagine MP6M12TCR.LAPIS Semiconductor

MP6M12TCR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MP6M12TCR
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MP6M12TCR.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 1mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    MPT6
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    42 mOhm @ 5A, 10V
  • Potenza - Max
    2W
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    6-SMD, Flat Leads
  • Altri nomi
    MP6M12TCRDKR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    250pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    4nC @ 5V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A 2W Surface Mount MPT6
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    5A
  • Numero di parte base
    *M12

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Pagamento
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Descrizione: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Produttori: Microsemi Corporation
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Descrizione: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Produttori: Microsemi Corporation
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Produttori: Microsemi Corporation
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Descrizione: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

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Descrizione: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Produttori: Microsemi Corporation
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RFQ
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