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1507170Immagine R5011ANX.LAPIS Semiconductor

R5011ANX

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    R5011ANX
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 500V 11A TO220
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Vgs (th) (max) a Id
    4.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220FM
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    500 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    50W (Tc)
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3 Full Pack
  • Altri nomi
    R5011ANXCT
    R5011ANXCT-ND
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1000pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    500V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 500V 11A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    11A (Ta)

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In magazzino
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Produttori: Powerex, Inc.
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Descrizione: MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-

Produttori: Powerex, Inc.
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Descrizione: MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FM

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Descrizione: MOSFET N-CH 500V 19A LPTS

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: MOSFET N-CH 500V 11A LPT

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: DIODE GEN PURP 1.6KV 150A DO205

Produttori: Powerex, Inc.
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Descrizione: DIODE GEN PURP 1.6KV 100A DO205

Produttori: Powerex, Inc.
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Descrizione: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM

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Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA

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