Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > R6008FNX
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
1770441Immagine R6008FNX.LAPIS Semiconductor

R6008FNX

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
1+
$4.03
10+
$3.594
100+
$2.947
500+
$2.386
1000+
$2.013
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    R6008FNX
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    R6008FNX.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220FM
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    950 mOhm @ 4A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    50W (Tc)
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3 Full Pack
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    580pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

La Corea del Sud prevede di emanare il Chip Act per contras...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "R6008FNX".
R6007KNJTL

R6007KNJTL

Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO263

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
R6007KNX

R6007KNX

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
R6009ENJTL

R6009ENJTL

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 9A LPT

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
R6009KNX

R6009KNX

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
R601-000-001

R601-000-001

Descrizione: GASKET

Produttori: Hammond Manufacturing
In magazzino
RFQ
R6006ANDTL

R6006ANDTL

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 6A CPT

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
R6007ENX

R6007ENX

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 7A TO220

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
R601-000-002

R601-000-002

Descrizione: GASKET

Produttori: Hammond Manufacturing
In magazzino
RFQ
R6010-00

R6010-00

Descrizione: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYL 10.5MM

Produttori: Harwin
In magazzino
RFQ
R60100-1COR

R60100-1COR

Descrizione: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS

Produttori: Bussmann (Eaton)
In magazzino
RFQ
R6008FNJTL

R6008FNJTL

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
R6007ENJTL

R6007ENJTL

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 7A LPT

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
R6008ANX

R6008ANX

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
R6008-00

R6008-00

Descrizione: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 8MM

Produttori: Harwin
In magazzino
RFQ
R6009-00

R6009-00

Descrizione: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 9.5MM

Produttori: Harwin
In magazzino
RFQ
R60060-3CR

R60060-3CR

Descrizione: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS

Produttori: Bussmann (Eaton)
In magazzino
RFQ
R601-000-000

R601-000-000

Descrizione: GASKET

Produttori: Hammond Manufacturing
In magazzino
RFQ
R6009KNJTL

R6009KNJTL

Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO263

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
R6006ANX

R6006ANX

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
R6009ENX

R6009ENX

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.