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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > R6018ANJTL
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3181539Immagine R6018ANJTL.LAPIS Semiconductor

R6018ANJTL

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    R6018ANJTL
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Vgs (th) (max) a Id
    4.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    LPTS
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    270 mOhm @ 9A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    100W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2050pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    55nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 18A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount LPTS
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    18A (Ta)
R6020225HSYA

R6020225HSYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R6015KNZC8

R6015KNZC8

Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R60200-1STR

R60200-1STR

Descrizione: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Produttori: Bussmann (Eaton)
In magazzino
R6015KNX

R6015KNX

Descrizione: NCH 600V 15A POWER MOSFET

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R60200-1STRM

R60200-1STRM

Descrizione: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Produttori: Bussmann (Eaton)
In magazzino
R6015ANZC8

R6015ANZC8

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6015KNJTL

R6015KNJTL

Descrizione: NCH 600V 15A POWER MOSFET

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6015ANX

R6015ANX

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6015ENX

R6015ENX

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 15A TO220

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6015FNX

R6015FNX

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6015FNJTL

R6015FNJTL

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R60200-3CR

R60200-3CR

Descrizione: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Produttori: Bussmann (Eaton)
In magazzino
R6020235ESYA

R6020235ESYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R60200-1CR

R60200-1CR

Descrizione: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Produttori: Bussmann (Eaton)
In magazzino
R6015ENZC8

R6015ENZC8

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6015ENJTL

R6015ENJTL

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R60200-1CRQ

R60200-1CRQ

Descrizione: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Produttori: Bussmann (Eaton)
In magazzino
R6020222PSYA

R6020222PSYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R6020422PSYA

R6020422PSYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R6020425HSYA

R6020425HSYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino

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