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5646777Immagine R6020FNJTL.LAPIS Semiconductor

R6020FNJTL

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    R6020FNJTL
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 20A LPT
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.R6020FNJTL.pdf
    2.R6020FNJTL.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    LPTS
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    280 mOhm @ 10A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    50W (Tc)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    R6020FNJTLDKR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2350pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 20A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount LPTS
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

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Descrizione: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

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Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

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