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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > R6035KNZC8
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4489719Immagine R6035KNZC8.LAPIS Semiconductor

R6035KNZC8

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    R6035KNZC8
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-3PF
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    102 mOhm @ 18.1A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    102W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-3P-3 Full Pack
  • Altri nomi
    R6035KNZC8TR
    R6035KNZC8TR-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    15 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    3000pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    72nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 35A (Tc) 102W (Tc) Through Hole TO-3PF
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)
R60400-1STR

R60400-1STR

Descrizione: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Produttori: Bussmann (Eaton)
In magazzino
R6046FNZC8

R6046FNZC8

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 46A TO-3PF

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6035ENZC8

R6035ENZC8

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6046ANZ1C9

R6046ANZ1C9

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 46A TO247

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6047ENZ1C9

R6047ENZ1C9

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 47A TO247

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6031225HSYA

R6031225HSYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R6031435ESYA

R6031435ESYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R60400-1CR

R60400-1CR

Descrizione: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Produttori: Bussmann (Eaton)
In magazzino
R6031235ESYA

R6031235ESYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R605001 010S1

R605001 010S1

Descrizione: IND RUGG CORDSET C6A SO FTP

Produttori: Belden
In magazzino
R60400-3CR

R60400-3CR

Descrizione: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Produttori: Bussmann (Eaton)
In magazzino
R6031425HSYA

R6031425HSYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R60400-1STRM

R60400-1STRM

Descrizione: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Produttori: Bussmann (Eaton)
In magazzino
R6046ANZC8

R6046ANZC8

Descrizione: MOSFET N-CH 10V DRIVE TO-3PF

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6035KNZ1C9

R6035KNZ1C9

Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6031222PSYA

R6031222PSYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R6031035ESYA

R6031035ESYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R6046FNZ1C9

R6046FNZ1C9

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 46A TO247

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6035ENZ1C9

R6035ENZ1C9

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 35A TO247

Produttori: LAPIS Semiconductor
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