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4147427Immagine RBR5L30BTE25.LAPIS Semiconductor

RBR5L30BTE25

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RBR5L30BTE25
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE SCHOTTKY 30V 5A PMDS
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    RBR5L30BTE25.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    490mV @ 5A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    30V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PMDS
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    DO-214AC, SMA
  • Altri nomi
    RBR5L30BTE25CT
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    150°C (Max)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Schottky
  • Descrizione dettagliata
    Diode Schottky 30V 5A Surface Mount PMDS
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    150µA @ 30V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    5A
  • Capacità a Vr, F
    -

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